Оборудование для ЭДС

Московское представительство компании Oxford Instruments Overseas Marketing Ltd

Московское представительство

105005 Москва, Денисовский пер. 26

тел. (495) 933 51 23; факс: (495) 933 51 24;

----------------

INCAx-act

НОВЫЙ Аналитический Дрейфовый Детектор (ADD)

Новый полупроводниковый детектор (ППД) на основе технологии SDD – (кремний-дрейфовый детектор)
Внешний FET (полевой транзистор)
Цифровой процессор импульсов INCAx-stream
Не требует жидкого азота для охлаждения – только подключение к электроэнергии
Охлаждение по первому требованию, за секунды
Автоматическое охлаждение одновременно с откачкой микроскопа
Нет движущихся частей – нет вибрации

-------------

Гарантированное разрешение на месте установки при скорости счета 20 000 имп/сек

Гарантированные стабильные характеристики в диапазоне скоростей счета от 1 000 до 40000имп/сек
Стабильное разрешение в пределах 1эВ
Стабильность позиции пиков в пределах 1эВ

10мм²

ADD

F Ka

Mn Ka

Premium

75эВ или лучше

133эВ или лучше

Standard

85эВ или лучше

137эВ или лучше

Надежные результаты, не хуже чем у Si(Li) для элементов с Z>6 (C)
Надежный количественный анализ при скорости счета 40000имп/сек - за 5 секунд
Рентгеновское картирование за 60 секунд
Точное отображение химических вариаций
Превосходно сочетается с ВДС и EBSD
Определение элементов от бора
Не требуются программные фильтры для определения легких элементов

-----------

Спектр нитрида бора.

Аналитические результаты при 40 000 имп/сек будут также точны как и при 1 000 имп/сек - даже для сложных перекрытий линий – к примеру Ti Kа и Ba Lа в бенитоите, силикате Ti и Ba

В энергетическом спектре любого ППД линии TiKа и BaLа близки и существенно перекрываются
Результаты количественного анализа точны при любых условиях

Бенитоит Si Ti Ba O

1 000 имп/сек 20.36 11.18 33.85 34.61

10 000 имп/сек 20.08 11.47 33.96 34.49

20 000 имп/сек 20.22 11.56 33.54 34.67

40 000 имп/сек 20.08 11.69 33.63 34.60

Сертифицированный состав 20.37 11.57 33.23 34.83

----------------

Быстрое картирование с точным отображением вариаций химического состава – без артефактов.

Пример:

минералы (силикаты и оксиды Fe)
Карты получены за 60 секунд при скорости счета 200000имп/сек

Скорость счета (интенсивность рентгеновского сигнала) для каждой фазы различна

С детектором ADD вариации состава отображаются правильно

Загрузить описание (865Кб)

(для закачки щелкните правой кнопкой мыши на закладке и нажмите "сохранить объект как")

Примечание:

При прочих равных условиях чувствительность детекторов ADD и Si(Li) с одинаковой площадью кристалла практически одинакова. Si(Li) детекторы пока имеют преимущество по разрешению в области низких энергий.

Преимущества высокой производительности детекторов ADD по сравнению с Si(Li) реализуются только когда имеется возможность получения высокого тока зонда на образце (>3-10нА):

–На РЭМ с вольфрамовым катодом или термоавтоэмиссионным катодом Шоттки

–При невысоких увеличениях (< 5000х)

–На образцах, устойчивых под электронным зондом (металлы и сплавы, керамики, безводные силикатные минералы, оксиды).

Для работы при низких токах зонда и больших увеличениях, а также при исследовании наноструктур при низких ускоряющих напряжениях предпочтительно использовать новый SI(Li) детектор INCAPentaFET-x3 с активной площадью 30 мм² , в три раза более чувствительный, чем 10мм² Si(Li) или ADD.

___________________________________________________________________________________________________________________