Оборудование для ЭДС

Московское представительство компании Oxford Instruments Overseas Marketing Ltd

Московское представительство

105005 Москва, Денисовский пер. 26

тел. (495) 933 51 23; факс: (495) 933 51 24;

-------

INCAPentaFET-x3

НОВЫЙ Si(Li) детектор с активной площадью 30мм²

Первый в мире Si(Li) детектор с активной чувствительной областью 30 мм² и аналитическими характеристиками и разрешением аналогичными 10мм²

Полностью отвечает современным требованиям в соответствии с новым международным стандартом ISO 15632-2002

Создан на основе уникальных инновационных технологий

Универсальный детектор для любых РЭМ, но особенно для РЭМ с полевым катодом

Гарантированное разрешение на месте установки при скорости счета 4 000 имп/сек

30мм² Si(Li)	C Ka / 4000имп/сек	F Ka / 4000имп/сек	Mn Ka/ 4000имп/сек
Platinum	56эВ	65эВ	129эВ
Premium	60эВ	70эВ	133эВ
Standard	65эВ	75эВ	137эВ

Гарантированные стабильные характеристики в диапазоне скоростей счета от 1 000 до 10000имп/сек
Стабильное разрешение в пределах 1эВ
Стабильность позиции пиков в пределах 1эВ
Охлаждение жидким азотом
Неограниченное число циклов охлаждения/разогрева - можно оставлять без азота.

-----------

Преимущества увеличенной площади кристалла

Детектор INCAPentaFET-x3 до 3-x раз более чувствительный и производительный чем любой 10мм² детектор (Si(Li), SDD или ADD) при обычных условиях анализа

При той же статистике счета можно снизить ток зонда в 3 раза
Снижается риск повреждения чувствительного образца, а также степень углеродного загрязнения поверхности
При малом токе уменьшается диаметр электронного зонда – улучшается качество электронного изображения и возможность анализа нанотекстур

10мм² ADD/SDD

6500 имп/сек

Ток зонда ~900пA

30мм² Si(Li)

6500 имп/сек

Ток зонда ~300пA

Автоматическое удаление пиков суммирования для точного качественного и количественного анализа при скорости счета до 20,000 имп/сек

Спектр MgO до и после коррекции

----------------

Лучшие характеристики для анализа легких элементов и наноанализа при низком ускоряющем напряжении

Превосходное разрешение на низких энергиях - до <56эВ для C Ka
Определение любых элементов от бериллия

-------------

Стабильные характеристики на весь период эксплуатации

Со временем на поверхности кристалла Si(Li) детектора происходит конденсация льда. Этот недостаток – общий для детекторов любого производителя. Пары воды проникают через тонкое полимерное окно детектора.
Использование режимов низкого и сверхнизкого вакуума ускоряет накопление льда. В результате наблюдается ухудшение характеристик в области низких энергий
Детекторы Oxford Instruments оснащены патентованной системой кондиционирования - характеристики восстанавливаются нажатием одной кнопки

Преимущества INCAPentaFET-x3:

Высокая производительность при обычных токах зонда и для обычных образцов
Возможность использования низкого тока зонда
Возможность анализа на низких ускоряющих напряжениях
Наилучшее разрешение для ППД в области низких энергий

Уникальные возможности для:

Исследования наноструктур
Исследования биологических образцов
Анализа легких элементов
Исследования нестабильных под электронным зондом образцов
Исследования обоазцов содержащих воду и др. летучие компоненты

Загрузить описание (760Кб)

(для закачки щелкните правой кнопкой мыши на закладке и нажмите "сохранить объект как")

___________________________________________________________________________________________________________________